精密加工学研究室
Precision Machining Laboratory

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研究内容

超精密・高能率加工

テーマ

SiC基板の加工プロセスとその応用に関する研究

図1の写真に示すSiCやGaNなどの単結晶は,次世代の高性能半導体デバイスやパワーデバイス用基板として期待されていますが,化学的,機械的に極めて安定している難加工材料です.本研究では,これらの難加工材料の最適な加工プロセスの設計とその構築を目指しています.具体的には,前加工と中間加工にはダイヤモンド粒子を油性/水溶性の液体に分散させたスラリーと軟質金属定盤による金相学的ポリシング(図2参照)を,仕上げ加工には特殊な超微細ダイヤモンドあるいはコロイダルシリカなどのスラリー(研磨剤)と高分子パッドを用いたCMPを中心に研究しています.とくに,スラリー中の粒子の種類,性状などが加工特性に及ぼす効果を明らかにし,加工効率と加工面品位・表面粗さを両立できる添加剤の探索から超精密加工用スラリーを試作し,最適加工条件を追究し,実際のプロセス導入を目指しています。



Fig.1 SiC基盤

Fig.2ダイヤモンドスラリーによるポリシング

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