精密加工学研究室
Precision Machining Laboratory

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研究内容


性能試験

テーマ

半導体の電解複合CMPに関する研究

電解複合CMPには,貫通孔を開けたパッドに供給電解液で電気的導通を得て電解によってウエハを除去する方法(方法A)と,導電性表層と絶縁層の二層構成パッドの貫通孔が電解液収容部(電解セル)となってウエハをアノード溶解させる方法(方法B)の二方法があり,低加工圧力で高能率加工が出来ます.本研究では、両者の方法を駆使してLSIデバイスの配線メタルCuあるはバリアメタル(Ta,TaNなど)の平坦化加工特性を追究しつつ、効果的加工条件を明らかにし,最終的には難加工性のカーボンナノチューブ(CNT),SiC,GaNなどの半導体材料・結晶に適用すべく,汎用性のある高能率・高品位の電解複合CMPの実現を目標としています。


電解複合CMP法の2つの加工原理模式図
(方法[A]と方法[B])

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